致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的制备方法

【申请号】 CN200810010295.5

【申请日】 2008-01-31

【公开号】 CN101497524

【公开日】 2009-08-05

【申请人】 戴文斌 于景坤 王新丽

【地址】 110004辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号东北大学313信箱

【发明人】 戴文斌 于景坤 王新丽

【国省代码】 21

【摘要】 本发明是一种制备致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的方法。利用氧化镁作为稳定剂，采 用共沉淀法引入三氧化二铝，二氧化硅，氧化钙等添加物，合成纳米级/亚微米级粉末;然后 利用液相烧结在较低温度下加热制得致密的氧化锆陶瓷材料。本发明的主要特点是能够精确控制稳定剂和各种添加剂的含量，使它们非常均匀的分散，而且合成粉末的粒度均匀，粒径 小;在较低的烧结温度条件下，能够获得致密性良好的烧结体。本方法工艺简单，设备投资少，有利于工业化大规模生产。

【主权项】 1. 一种制备致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的方法，包括添加剂的种类，引入方法以及 添加量。其特征在于： 1)添加剂的种类：各种含铝、硅、钙等元素的物质，且它们溶解于水后呈中性或者酸性。 如Al(NO3)3·9H2O、Ca(NO3)2·4H2O、AlCl3、Na2SiF6或者CaCl2等。 2)添加剂引入方法：在共沉淀法合成纳米级/亚微米级粉体的过程中，加入各种添加剂， 使它们均匀分散。 3)添加量：要求添加剂各元素的氧化物在烧结体中的摩尔百分含量分别为Al2O3：0-6%， SiO2：0-5%;CaO：0-5%.

【页数】 6

【主分类号】 C04B35/48

【专利分类号】 C04B35/48